技术编号:12477980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种Si-Ge-Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件技术领域本发明涉及半导体器件制造技术领域,特别涉及一种Si-Ge-Si异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件。背景技术目前,国内外应用于等离子可重构天线的PiN二极管采用的材料均为体硅材料,此材料存在本征区载流子迁移率较低问题,影响PiN二极管本征区载流子浓度,进而影响其固态等离子体浓度;并且该结构的P区与N区大多采用注入工艺形成,此方法要求注入剂量和能量较大,对设备要求高,且与现有工艺不兼容;而采用扩散工艺,...
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