技术编号:12478008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法。背景技术随着集成电路的发展,器件尺寸越来越小,集成度越来越高。而随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的平面半导体制造技术已经无法使用,非平面技术的半导体器件应运而生,例如绝缘体上硅,双栅,多栅等新工艺的应用。目前鳍形场效应晶体管在小尺寸领域被广泛使用,但使用过程中存在短沟道效应、漏场和穿通等问题,亟待解决。而具有全包围栅极(gate-all-around)结构的半导体器件由于在器件性能及能有效抑制短沟道效应(shor...
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