技术编号:12478016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种砷化镓PMOS器件制作方法,应用于高性能III-V族半导体CMOS技术。背景技术III-V化合物半导体材料相对硅材料而言,具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点,而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。在过去四十年中,高质量热稳定栅介质材料和缺乏与NMOS器件相匹配的PMOS器件一直是III-V族半导体在大规模CMOS集成电路中的应用的主要障碍。最新研究报道表明:在III-V族半导体表面,直接采用原子层沉积(ALD)以及分子束外延(MBE)...
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