技术编号：12478073
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体照明技术领域，特别涉及一种LED显示屏的制备方法。背景技术在LED显示屏工业生产中，需要用到LED外延片，LED外延片由气态物质InGaAlP利用有机金属化学气相沉积方法在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC和Si)上沉积形成，LED外延片包括衬底基片和外延膜。现有的LED厂使用的是4英寸LED外延片的产线，生产得到的LED外延片的尺寸为4英寸，而主流的半导体生产厂(如MEMS产线、IC产线)都是8英寸或12英寸的LED外延片加工产线，这种产线无法加工4寸的LED外...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。