技术编号:12478240
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。背景技术近年来,显示技术得到快速发展,薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)技术由原来的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管发展到低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管等。氧化物,如铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)或铟锡锌氧化物(IndiumTinZincOxide,ITZO),作为有源层,载流子迁移率是非晶硅的20~30倍,具有迁移率大、开态...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。