技术编号：12478310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件的一种钝化结构及其制备方法，适用于铝金属引线的半导体器件。背景技术在半导体器件竞争如此激烈的今天，制造工艺每减少一步就是制造成本降低一步，就能占据成本优势，抢占产品市场，半导体器件的设计工程师们也是想尽办法减小器件的尺寸，减少制造工艺步骤，节省制造成本。此发明针对铝金属引线的半导体器件，巧妙的利用光刻、注入技术对铝金属层做局部氧化，只用一步光刻就完成常规工艺需要两步光刻才能完成的铝金属布线及钝化，大幅度降低半导体器件生产成本，提高成品率，且氧化铝材料致密，化学稳定性极好，提高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。