技术编号:12478359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及穿透硅通孔技术领域,尤其是一种高密度SOI封装基板及其制备方法。背景技术穿透硅通孔技术,英文缩写为TSV(throughsiliconvias),一般简称硅通孔技术,是通过微纳加工等方法垂直完全贯穿硅晶片的技术,它是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。相对于传统的焊线和倒装芯片来说,TSV互连具有尺寸小、密度高,适用于创建3D封装和3D集成等特点,可以有效减小传输延时、降低噪声、缩小物理封装尺寸、增强电学性能、降低功耗等,成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。