技术编号:12478475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有横向耦合结构的非易失性存储单元、存储单元阵列相关申请的交叉引用本申请要求于2015年11月23日提交的序列号为10-2015-0163847的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。技术领域本发明的各个实施例涉及非易失性存储单元以及使用非易失性存储单元的存储单元阵列,尤其是涉及具有横向耦合结构的非易失性存储单元以及使用该非易失性存储单元的存储单元阵列。背景技术即使电源供给中断,非易失性存储器件仍留存存储数据。已经提出了能够被电编程和擦除的非易失性存储器件的各种结构。非易失性存储器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。