技术编号:12478480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种闪存器件的制造方法。背景技术在目前的半导体产业中,集成电路产品主要可分为三大类型:模拟电路、数字电路和数/模混合电路,其中,存储器件是数字电路中的一个重要类型。而在存储器件中,近年来快闪存储器(FlashMemory,简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息;且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点,因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。一般而言,闪存器件分为栅极叠层(StackGate)结构或分...
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