技术编号:12478641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及InN纳米柱外延片及制备方法,特别涉及生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。背景技术III-V族氮化物由于稳定的物理化学性质、高的热导率和高的电子饱和速度等优点,广泛应用于发光二极管(LED)、激光器和光电子器件等方面。在III-V族氮化物中,氮化铟(InN)由于其自身独特的优势而越来越受到研究者的关注。在III族氮化物半导体中,InN具有最小的有效电子质量、最高的载流子迁移率和最高饱和渡越速度,对于发展高速电子器件极为有利。不仅如此,InN具有最小的直接带隙,其禁带宽度约...
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