技术编号:12478762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种导热散热材料,尤其涉及一种高迁移率的氧化锡基薄膜材料。背景技术随着信息显示技术的高速发展,氧化物半导体在许多应用领域中都得到了广泛的关注。在过去几十年里,n型氧化物半导体在材料制备以及器件的应用中取得了巨大的成功,但是p型氧化物半导体的发展还非常滞后。微电子工业的进步以及电子器件的小型化、微型化、集成化使之对电源的功率和电流降到很低的水平,这就要求电源也必须完成小型化、微型化的革命。n型氧化物薄膜晶体管与p型氧化物薄膜晶体管相结合组成的双极性薄膜晶体管是实现透明电子器件的基础。此外...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。