技术编号：12478972
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法。背景技术随着光纤入户HTTP的推广和5G基站的建设，对高速光电二极管光接收芯片的需求也日趋迫切。目前10G高速光电二极管接收芯片已经成为现在技术应用的主流产品，25G、100G、400G的光电二极管接收芯片需求也处于高速发展的上升阶段。光电二极管接收芯片的速率主要取决于两个方面影响：一是由芯片光生载流子漂移速度所决定的渡越时间，如公式所示，其中υ为光生载流子的漂移速度，基本上为定值6×106cm/s，L为芯片外延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。