技术编号:12478990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶硅电池的制作方法,尤其是涉及一种前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法。背景技术前发射结背面隧道氧化钝化接触电池技术与常规电池技术不同之处在于背面隧道氧化钝化层及掺杂的多晶硅层这种复合结构的制备,这种方法的关键之处在超薄的隧穿氧化层的制备控制方面及制备前与硅基底间的界面状态的处理。中国专利CN102544198A公开了一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法,包括单步高浓度掺杂扩散,然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料,非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结,再除...
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