技术编号：12479096
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，具体地讲，涉及一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构。背景技术GaN基绿光或更长波长激光器和LED在半导体显示与照明方面有非常广泛的应用。InGaN量子阱有源区作为GaN基激光器和LED的核心结构，其生长行为、形貌对InGaN量子阱的光学性质和器件的性能有非常重要的影响。由于InN的平衡蒸汽压非常高，并且In-N键能弱，导致InN的分解温度低。因此，高In组分的InGaN必须在低温下生长以保证足够多的In并入外延层。一般用MOCVD生长InGaN的温...
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