技术编号:12479174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体地讲,涉及一种发光二极管及其制作方法。背景技术半导体发光二极管(LED)具有结构简单、体积小、节能等优点,其在光电系统中的应用极为普遍。传统的半导体发光二极管都是采用在蓝宝石衬底上生长外延层,蓝宝石衬底与外延层之间的晶格失配较大、位错密度高等缺点。目前,大多数半导体二极管都采用氮化镓基,但是,由于氮化镓的折射率为2.5,远远超过空气的折射率,导致在顶层出光面全反射的临界角过小,光线到达顶层后,部分光线只有反射,没有折射,只能在LED内部来回反射,即量子阱发出的光在L...
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