技术编号:12479177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件技术领域,尤其涉及一种改进型功率半导体器件及其制备方法。背景技术在电子技术领域,功率半导体器件作为关键部件,其特性对系统性能的实现和改善起着至关重要的作用。目前所用的功率器件主要是MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)。其中,IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率M...
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