技术编号:12480061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅纳米晶须技术领域。尤其涉及一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法。背景技术碳化硅纳米晶须(SiCw)是一种直径为纳米至微米级的高纯单晶材料。基于其完美的晶体结构,碳化硅晶须具有高熔点(>2700℃)、低密度、抗拉伸强度优异(拉伸强度为2100MPa)以及良好的比强度和比弹性模量的力学性能,被广泛用作各种高性能材料的补强增韧添加剂。同时,一维碳化硅纳米晶须具有优异的光学和电学性能,能在高温、高能和高频等严苛环境下工作,因此在制备先进纳米光电子器件方面具有诱人的应用前景。另一...
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