技术编号：12485449
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法。背景技术以往，在使用碳化硅(SiC)基板、或者在初始基板上层叠外延层而成的碳化硅外延基板(以下，统称为碳化硅基板)来制作各种器件的情况下，需要进行用于形成单元结构的离子注入工序。并且，在离子注入工序后，需要进行用于使向碳化硅基板进行离子注入的杂质活化的活化热处理，在使用碳化硅作为半导体材料的情况下，活化热处理需要在1600℃～1800℃程度的高温度下进行。已知由于这样在非常高的温度下进行活化热处理，所以在没有用保护膜保护碳化硅基板的表面的状态下进行活化热处理...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。