技术编号：12485475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。实施例涉及在形成半导体器件期间的注入处理以及相应的掺杂分布，并且具体来说，涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。背景技术当今，半导体器件具有不同导电类型和/或不同掺杂浓度的多个不同的掺杂区域。可以以各种方式来实现这些掺杂区域。例如，质子可以被注入到半导体衬底中以产生氢相关的施主。许多半导体器件都需要高掺杂浓度的区域。可以在注入或长注入处理时间期间通过高束流来达到这样的掺杂浓度。这由于所需要的昂贵设备和/或长制造时间而导致增加了制造成本。发明内容可能存在对提供用于形成半导体器件的概念的需求，其...
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