技术编号:12485495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种电镀方法以及晶圆凸块的制备方法。背景技术为了进行芯片(chip)的封装,晶圆(wafer)上必须具有凸块(bump)以便与封装的基板连接。每个晶圆可以被裁切成整个晶粒(die),依据晶粒的数目,在晶圆上形成数个金属接触垫,金属接触垫之间以钝化层分隔,制作凸块时,先在金属接触垫之上形成一凸块下金属层(UBM)结构,接着在凸块下金属层上形成一锡银金属层,锡银金属层经过回焊后固化形成凸块。现有技术中在凸块下金属层与锡银金属层之间还形成一金属层,以克服锡金属...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。