技术编号:12485534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展,世界集成电路产业总产值以每年超过30%的速度发展,静态随机存储器(SRAM)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。SRAM是逻辑电路中一种重要部件,其因为具有功耗小,读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。随着存储单元的小型化和半导体器件的高集成度的需求,静态随机存储器的尺寸越来越小,然而,静态随机存储器中的有源区的关键尺寸、栅极的关键尺寸以及接触孔(...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。