技术编号:12485585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路,并且尤其是涉及对一个或多个集成结构的有源区的加热,该集成结构特别是一个或多个晶体管,例如MOS晶体管。背景技术在特定应用中,可能特别有利的是加热MOS晶体管的有源区,特别是当后者处于冷环境中或类似时,以改进其在非常低的电压应用下的性能水平。当前,使用复杂的加热系统来增加晶体管的环境温度,特别是当后者处于冷环境中时。发明内容根据一个实施例,提出一种具有简单架构的电子器件,其使得可简单地加热例如MOS晶体管的集成结构,而无需修改结构的一个或多个有源区(例如晶体管的有源区)...
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