技术编号：12485673
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种GaSbGe相变化存储器材料、基于该相变化存储器材料的高密度存储器装置及该高密度存储器装置的制造方法。背景技术相变化存储器材料，例如基于硫属化物(chalcogenide)的材料和类似的材料，通过在适于实施在集成电路的程度的电流的应用可以在非晶态和晶态之间引起相变化。一般非晶态的特征在于具有比一般晶态较高的电阻率(electricalresistivity)，如此可以较容易地被感测到以指示数据。这些性质已经在使用可编程电阻材料以形成非易失性存储器电路产生兴趣，其可以随机存取的方...
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