技术编号:12509829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用CZ法培育的单晶硅的电阻率控制方法,以及使用该电阻率控制方法来控制电阻率的n型单晶硅。背景技术在IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率用器件等所使用的开关器件中,主要使用n型结晶。一直以来,使用电阻率控制比较容易的EPW(外延片)、FZ-PW(利用FZ法所制造的晶圆)。但是,相比CZ-PW(利用CZ法所制造的晶圆),EPW包含多余的工序(外延生长工序),因此晶圆价格高,而FZ法存在不容易扩大晶体径的问题,因此不在CZ-PW积累外延生长层而直接使用的CZ-PW正逐渐受到关注。但是,在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。