技术编号:12509832
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法,详细而言,涉及用于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和基于溶液生长法的SiC单晶的制造方法。背景技术作为碳化硅(SiC)的制造方法,有溶液生长法。在溶液生长法中,使由SiC单晶构成的晶种与SiC溶液相接触。在SiC溶液中,使晶种的附近部分形成为过冷状态,从而使SiC单晶在晶种上生长。作为一种溶液生长法,有TSSG(TopSeededSolutionGrowth:顶部籽晶助熔剂法)法。用于TSSG法的SiC单晶的制造装置包括例如晶种轴、石墨制的坩...
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