技术编号：12509835
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造技术，更详细而言涉及在外延生长之前处理SiC基板的表面的半导体器件的制造技术。背景技术近年来，在电气·电子设备、家电产品以及电气汽车等许多领域中使用了用于进行电力的控制、供给的功率半导体。以往，功率半导体的大部分使用了Si(硅)半导体。近年来，研究使用耐压比Si半导体更高、且能够实现电力损失的降低以及电力变换器的小型化等的SiC(碳化硅)半导体。SiC存在立方晶系的3C-SiC、六方晶系的4H-SiC、6H-SiC等很多多型(polytype)。在这些多型中，为了制作实...
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