技术编号：12514144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有低K金属间电介质以供减小寄生电容的MRAM集成公开领域所公开的实施例涉及高级设备节点中电阻式存储器(诸如磁阻随机存取存储器(MRAM))的集成。更具体而言，诸示例性方面涉及具有改进的机械稳定性和减小的寄生电容的电阻式存储器的集成。背景磁阻随机存取存储器(MRAM)是使用磁性元件的非易失性存储器技术。MRAM作为下一代存储器技术正在得到普及，该技术用于要求低成本和高速度的众多半导体设备应用。若干类型的MRAM在本领域中是公知的，并且MRAM操作可使用惯用的各种各样的MRAM的示例——自旋转移矩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。