一种清洁装置的制作方法技术资料下载

技术编号:12514489

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本实用新型涉及半导体生产技术领域,特别是涉及一种适于对低K材料的晶圆表面进行清洗的清洁装置。背景技术随着半导体工艺的发展,尤其是40nm以及28nm阶段,为了获得更低的信号延时和高性能的响应特性,更多的选择lowK(低介电常数)材料,但是lowK材料致密度较差。例如M1(第一金属层)--BD(BlackDiamond,黑钻石)薄膜,其表面分子结构间缝隙较大,呈蜂窝状,亲水性较强,因此,当其表面有一些颗粒缺陷会影响产品良率,却无法使用水或其它液体清洗。目前,传统的清洁方法主要是采用湿法负离子水的洗...
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