技术编号:12514680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及纳米阵列的多量子阱与生长领域,特别涉及生长在铝酸锶钽镧(La0.3Sr1.7AlTaO6)衬底上的纳米柱多量子阱。背景技术GaN及其相关的III族氮化物在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质,已经被广泛地应用于制备发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)和场效应晶体管等器件。近年来,GaN基纳米柱LED作为一种具有潜力的LED结构而备受关注,这是由于与平面结构LED相比,首先纳米柱LED具有高的面容比(面积/体积),能够显著降低穿透位错密度;其次,纳米柱LED可大幅度提高LE...
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