技术编号：12521252
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种石墨承载盘烘烤装置。背景技术金属有机物气相沉积是一种利用金属有机物和气态源在一定温度和压力条件下进行化学反应，生长各种化合物半导体材料的技术。石墨承载盘作为衬底的载体，表面会在化学反应的过程中附着化学反应产生的化合物半导体材料。对石墨承载盘上附着的沉积物进行清洁是保证MOCVD工艺稳定性和产品品质的重要因素之一。目前广泛使用真空高温烘烤炉利用高温1300℃~1400℃，在真空环境下对石墨承载盘进行长时间烘烤。这种方式对以大部分生长和挥发温度较低的化合物半导体材料具有较好的作用。...
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