技术编号:12537739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电力电子功率器件技术领域,具体涉及一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极。背景技术全控型电力电子器件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),由于其具备优越的门极控制功能、较低的通态损耗以及驱动电路简单等优点,广泛应用于大功率高压设备领域。全控型电力电子器件IGBT从封装形式来分主要包括压接式IGBT和焊接式IGBT,其中压接式IGBT相较于焊接式IGBT具备下述优点:①:其内部引线采用压接方式接触连接,消除了绝大部分的焊接点,从而可以有效降低因功...
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