技术编号:12550116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座所属技术领域本实用新型涉及一种双区加热的等离子增强化学气相沉积腔体晶圆基座,属于半导体芯片生产设备的技术领域。背景技术随着半导体芯片制造技术的发展,300mm直径尺寸晶圆的芯片制造已经成为当今半导体芯片制造业的主流。在芯片制造过程中,等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术被广泛应用于硅的氧化物、氮化物和多晶硅等薄膜的沉积工艺。300mm的晶圆尺寸较大,在等离子增强化学气相沉积过程中,晶圆表面中心区域和边缘区域的薄膜沉积速率会有差异,而造成整片晶圆...
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