技术编号:12550228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及碳化硅籽晶生长技术领域,具体为一种可校准的籽晶生长装置。背景技术碳化硅(SiC)是继硅、锗、砷化镓等之后的第三代半宽禁带半导体材料,其在禁带宽度、热导率、临界击穿场强、饱和电子漂移速率等方面具有明显的优势。4H-SiC和6H-SiC的禁带宽度分别为3.26eV和3.08eV,3C-SiC的禁带最窄,其禁带宽度也在2.39eV左右。SiC的禁带宽度是Si的2-3倍,热导率是Si的2.6-3.3倍,临界击穿场强是Si的7-13倍,饱和电子漂移速率是Si的2-2.7倍。使用宽禁带材料可以...
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