技术编号：12562651
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体测试领域，具体涉及一种消除场效应管雪崩测试电感误差电路。背景技术MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor），即金属氧化物场效应晶体管。由于制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强，速度快、功耗低等优点，在电力电子设备中广泛应用。随着MOSFET器件和二极管在高频开关和汽车电子等特殊环境的越来越多的使用，雪崩失效已成为功率MOSFET器件主要的失效模式。雪崩击穿时负载能量的能力会影响到器件的安全工作区及寿命，被认为是器件...
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