技术编号:12566007
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种用于SiCIGBT外延工艺表面处理的腔体所属技术领域本实用新型涉及一种用于SiCIGBT外延工艺表面处理的腔体,属于半导体芯片生产设备的技术领域。背景技术随着半导体技术的发展,SiC材料以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性,被越来越多的应用于IGBT器件的生产制造。在SiCIGBT器件的外延生长过程中,SiC衬底的表面状况直接影响到外延层生长的质量,从而影响到IGBT器件的整体性能。在外延生长前对衬底表面利用等离子刻蚀和高温退火的方法进行处理,可以获得清洁、平整...
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