技术编号:12579201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利涉及太阳能电池多晶硅铸锭领域,特别是一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术。背景技术现下生产工艺生产的硅锭,其电阻大多是为P型,绝大部分是掺入硼,但硼-氧复合体会造成电池效率的明显光衰减,尤其是在初始光致衰减阶段,光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降,其主要原因就是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命,而掺镓的P型多晶硅锭又存在电阻率范围过宽而成品率不高等缺点。发明内容针对上述问题,本发明公开了一种多阶段电阻率控制高效多晶硅片技术。为解决以上技术问题,本发...
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