技术编号:12579219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超高压容器设备设计、制造领域,特别涉及一种用于生产氮化镓晶体的超高压容器。背景技术氮化镓是第三代半导体材料,它在电和光的转化方面性能突出,在微波信号传输方面的效率更高,所以可以被广泛应用到照明、显示、通讯等各大领域。但其形成的条件比较苛刻,在自然界中要2000℃,近万个大气压。众所周知,晶体的生长需要高温、高压的环境,如钻石、红宝石、水晶等晶体都是在地壳运动时地壳与地壳之间相互碰撞、挤压产生的高温高压的特殊环境中生长的,氮化镓晶体的生长需要的条件与此类似,需要2000℃,近万个大气压。...
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