技术编号:12579222
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶生长领域,具体涉及一种砷化镓单晶的生长方法。背景技术砷化镓(GaAs)是继Ge、Si之后的第二代半导体材料。用于大量生产GaAs晶体的方法有传统的液封直拉法(LEC法)和水平舟生产法(HB法)。同时目前也开发了兼具以上2种方法优点的垂直梯度凝固法(VGF法)、垂直布里奇曼法(VB法)和蒸汽压控制直拉法(VCG法),并成功制备出4~6英寸大直径的GaAs晶体。目前成熟的VGF法GaAs单晶生长技术是将GaAs多晶料装入热解氮化硼(PBN)坩埚中,再通过抽真空等方法将GaAs多晶料进行...
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