技术编号：12580575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种软磁低功耗材料技术领域，尤其是涉及一种高频低损耗锰锌铁氧体及其制造方法。背景技术现代电子技术的发展趋势是为用户提供体积更小、更加节约能源的电子设备，为此，就需要体积更小、效率更高的开关电源。显著增加切换频率，是实现以上要求的一种可行方式，通过使用氮化镓GaN的电路，可获得所需高频。2016年为GaN的爆发年，国际上众多大公司如EPC、TI、Navitas等都于近期推出基于GaN的功率驱动及控制芯片，随着新一代的电子开关管技术上的成熟，开关电源系统的频率也由几百kHz跃升至1MHz以...
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