技术编号:12585315
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工技术领域,具体地,涉及一种半导体加工设备。背景技术化学气相沉积外延生长的基本原理是将反应气体输送到反应腔室内,并通过加热等方式使反应气体在衬底表面发生化学反应,获得的生长原子淀积在衬底表面上,并生长形成单晶层薄膜。化学气相沉积对温度场十分敏感,反应腔室内的温度及温度均匀性直接影响工艺结果,因此,对反应腔室的温度控制至关重要。现阶段,电磁感应加热因加热区域大、调节方便等特点,得到了广泛的应用。现有的半导体加工设备包括反应腔室,在该反应腔室内设置有用于承载晶片的石墨托盘,且在反应...
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