技术编号：12590958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光干涉检测领域，特别是一种基于偏轴型位相波带片干涉显微检测装置。背景技术光刻是通过曝光的方法将掩模版上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。极紫外线光刻技术(EUVL)，是使用极紫外光（EUV，=13.5nm）作为曝光波长，面向22nm节点，甚至22nm节点以下的下一代光刻技术。由于任何物质对EUV(13.5nm)都具有吸收特性，因此曝光过程必须采用反射式掩模版，否则掩模版将吸收掉大部分EUV，造成光刻胶曝光量不足。典型的EUV反射式掩模版在...
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