技术编号：12593744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的掩模清洗方法，属于半导体清洗技术领域。背景技术半导体国际雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩模版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时，这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩模版。然而到了193nm光刻，受其影响的掩模版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题，雾状缺陷对成品率的影响方式主要有两种。通常，雾状缺陷会生长到足够大小而成为一个点缺陷，然后被光刻印制到晶圆上。另一种比较少见的方式是，雾状缺陷会影响光透...
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