技术编号:12593998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及沟槽栅型的半导体装置。背景技术作为进行大电流的开关动作的开关元件(功率半导体元件),采用功率MOSFET和绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等。在这些开关元件中采用沟槽型的栅电极构造(沟槽栅型),即在形成于半导体基体的槽(沟槽)内形成栅绝缘膜和栅电极。但是,在沟槽栅型的半导体装置中,栅电极和漏区之间的电容(栅极-漏极间电容)、栅电极和集电区之间的电容(栅极-集电极间电容)等的反馈电容较大。因此,开关速度下降,在高频动作中产生问题。在研究用于减小反馈电容的各种方法。例如,已公开了如下的构...
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