技术编号：12598947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。背景技术作为半导体器件(器件)的制造工序的一个工序，进行对衬底供给处理气体和反应气体，从而在衬底上形成膜的处理工序。发明内容发明要解决的问题然而，有时衬底的温度分布变得不均一，处理均一性降低。本公开的目的之一在于，提供一种提高衬底的处理均一性的技术。解决问题的手段根据一个方式，提供一种技术，其包括：设置有加热衬底的第一加热部的衬底支承部；设置于衬底支承部的上侧、向衬底供给处理气体的气体供给部；对衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气的第一排气口；以与衬...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。