技术编号:12598972
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于传感器的封装技术领域,具体涉及一种气体传感器的绝热封装结构及绝热封装方法。背景技术传统的气体传感器封装技术主要包括TO封装、DIP陶瓷管座封装等,但是上述封装结构存在的主要问题是基底均为热导率较高的金属和陶瓷材料,高导热率的基底材料导致用于维持芯片工作的热量通过基底、以及各种接触部件而散失,造成传感器功耗增大(约占70%),且加热到工作温度需要的稳定时间较长(大于15min),对气体传感器的实际应用带来了诸多问题。因此,热隔离技术对于氢气传感器性能指标的作用异常显著。而现有的热隔离技术...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。