技术编号:12599004
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域,涉及一种电容器介质层结构,特别是涉及一种高K介质膜层结构及其应用与制造方法。背景技术电容器是一种以静电场形式储存能量的无源电子元件。在最简单的形式,电容器包括两个导电极板,且两个导电板之间通过称之为电介质的绝缘材料隔离。电容器的电容与极板的表面面积成正比,与极板间的距离成反比。电容器的电容还取决于分离极板的物质的介电常数。电容的标准单位是法(farad,简称为F),这是一个大单位,更常见的单位是微法(microfarad,简称μF)和皮法(picofarac,简称PF...
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