技术编号:12599016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术多次可编程(MoreTimeProgramming,MTP)存储器件的制备工艺能与逻辑电路耦合,且成本较低,因而得到广泛应用。MTP器件包括:存储管和控制管,有的多次可编程存储器还具有选择管。图1~图5示出现有技术一种半导体结构的形成方法中各步骤的结构示意图。请参考图1,提供衬底100,所述衬底100包括用于形成逻辑器件的第一区域I和用于形成存储器件的第二区域II。继续参考图1,在衬底100上形成第一栅极层101并在第一栅极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。