技术编号：12599059
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本说明书涉及半导体装置和制作半导体装置的方法。背景技术近年来，GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN/AlGaN肖特基二极管关于它们替代Si或SiC用作高压(HV)装置的潜力引起广泛的关注。GaN/AlGaNHEMT通常包括具有位于许多GaN层上的AlGaN层的衬底。栅极、源极和漏极位于AlGaN层上方。在操作期间，电流经由二维电子气(2DEG)在漏极和源极之间流动，该二维电子气(2DEG)形成于AlGaN层和上部GaN层之间的界面处。通过将合适的电压施加到栅极实现断开，使得在...
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