技术编号:12599066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC。每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大,而几何尺寸(即,可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而,这些进步已经增加了处理和制造IC的复杂性。由于部件尺寸不...
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