技术编号:12599137
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种发光二极管的芯片及其制作方法。背景技术随着半导体技术的发展,发光二极管(英文:LightEmittingDiode,简称:LED)的发光效率不断提高,广泛应用于各种彩色显示屏、装饰灯、指示灯、白光照明灯,但LED的发光效率还没有达到理想的目标。LED的发光效率由内量子效率和光提取效率两方面决定,现有氮化镓基LED的内量子效率已经很高,所以想要进一步提高氮化镓基LED的发光效率,主要是提高LED的光提取效率。目前采用沉淀法在LED的电流扩展层上制作一层氧化锌种...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。